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首页 全部分类 IXGH36N60B3D4 vs STGW80V60DF

IXGH36N60B3D4备选型号: STGW80V60DF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 功率 - 最大
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGH36N60B3D4
    IXYS
    IGBT 600V 250W TO247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    250W
    未说明
    未说明
    IXG*36N60
    3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    36A
    60ns
    TO-247AD
    45 ns
    1.8V @ 15V, 30A
    350 ns
    PT
    80nC
    200A
    19ns/125ns
    540μJ (on), 800μJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW80V60DF
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 120A 469W TO247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Exposed Pad
    3
    38.000013g
    -
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    469W
    -
    -
    STGW80
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    600V
    120A
    60 ns
    -
    -
    2.3V @ 15V, 80A
    -
    沟渠现场停车
    448nC
    240A
    60ns/220ns
    1.8mJ (on), 1mJ (off)
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    1.85V
    EAR99
    469W
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    无铅
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