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首页 全部分类 IXGH48N60A3 vs APT50GN60BG

IXGH48N60A3备选型号: APT50GN60BG

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  • IGBT类型
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXGH48N60A3
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    1.18V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    300W
    未说明
    未说明
    IXG*48N60
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    300W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    120A
    TO-247AD
    54 ns
    1.35V @ 15V, 32A
    925 ns
    PT
    110nC
    300A
    25ns/334ns
    950μJ (on), 2.9mJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT50GN60BG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 107A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    600V
    1.5V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    366W
    -
    -
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    Single
    -
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    107A
    TO-247AD
    45 ns
    1.85V @ 15V, 50A
    400 ns
    沟渠现场停车
    325nC
    150A
    20ns/230ns
    1185μJ (on), 1565μJ (off)
    30V
    6.5V
    符合RoHS标准
    无铅
    EAR99
    600V
    107A
    107A
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    无
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