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首页 全部分类 IXGH56N60B3D1 vs IRGP4630D-EPBF

IXGH56N60B3D1备选型号: IRGP4630D-EPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 最大集电极电流
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXGH56N60B3D1
    IXYS
    IGBT 600V 330W TO247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2014
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    330W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.8V
    100ns
    63 ns
    1.8V @ 15V, 44A
    385 ns
    PT
    138nC
    350A
    26ns/155ns
    1.3mJ (on), 1.05mJ (off)
    20V
    5V
    165ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP4630D-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 47A 206W TO247AD
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    600V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2014
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    206W
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    -
    -
    1.95V
    100 ns
    -
    1.95V @ 15V, 18A
    -
    -
    35nC
    54A
    40ns/105ns
    95μJ (on), 350μJ (off)
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    3
    1.65V
    EAR99
    Single
    206W
    47A
    无SVHC
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