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首页 全部分类 IXGK320N60A3 vs APT100GN60LDQ4G

IXGK320N60A3备选型号: APT100GN60LDQ4G

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXGK320N60A3
    IXYS
    IGBT 600V 320A 1000W TO264AA
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    10.000011g
    SILICON
    600V
    1.05V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    1kW
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    1kW
    COLLECTOR
    Standard
    63 ns
    1000W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.25V
    320A
    139 ns
    1.25V @ 15V, 100A
    1870 ns
    PT
    560nC
    700A
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT100GN60LDQ4G
    Microsemi Corporation
    IGBT 600V 229A 625W TO264
    25 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    10.6g
    SILICON
    600V
    1.5V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    HIGH RELIABILITY
    625W
    -
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    Single
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    229A
    96 ns
    1.85V @ 15V, 100A
    435 ns
    沟渠现场停车
    600nC
    300A
    30V
    6.5V
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin
    EAR99
    600V
    100A
    229A
    31ns/310ns
    4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
    5.21mm
    26.49mm
    20.5mm
    无
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