IXGK320N60B3备选型号: APT65GP60L2DQ2G

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IGBT 600V 500A 1700W TO264
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    600V
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    低导通损耗
    1.7kW
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    1.7kW
    COLLECTOR
    Standard
    1700W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.6V
    500A
    115 ns
    1.6V @ 15V, 100A
    780 ns
    PT
    585nC
    1200A
    44ns/250ns
    2.7mJ (on), 3.5mJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX
    -
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    600V
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    833W
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    Single
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    198A
    85 ns
    2.7V @ 15V, 65A
    220 ns
    PT
    210nC
    250A
    30ns/90ns
    605μJ (on), 895μJ (off)
    -
    6V
    符合RoHS标准
    3
    EAR99
    600V
    198A
    无铅
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