IXGK320N60B3备选型号: APT65GP60L2DQ2G
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 引脚数
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 辐射硬化
- 无铅
- IGBT 600V 500A 1700W TO26430 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON600V600V-55°C~150°C TJTubeGenX3™2010e1yes活跃1 (Unlimited)3锡银铜低导通损耗1.7kW未说明unknown未说明3R-PSFM-T3不合格Single1.7kWCOLLECTORStandard1700W电源控制N-CHANNEL1.6V500A115 ns1.6V @ 15V, 100A780 nsPT585nC1200A44ns/250ns2.7mJ (on), 3.5mJ (off)20V5VROHS3 Compliant------
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX-通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON600V--55°C~150°C TJTubePOWER MOS 7®1999e1yes不用于新设计1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗833W---3--Single-COLLECTORStandard-电源控制N-CHANNEL600V198A85 ns2.7V @ 15V, 65A220 nsPT210nC250A30ns/90ns605μJ (on), 895μJ (off)-6V符合RoHS标准3EAR99600V198A无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IXXK300N60B3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT Transistors XPT 600V IGBT 300A | 对比 | |
![]() | APT65GP60L2DQ2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX | 对比 |
![]() | IXGK72N60B3H1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 600V 75A 540W TO264 | 对比 |




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