IXGK35N120CD1备选型号: IXYB82N120C3H1
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- 基本部件号
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- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- ECCN 代码
- 附加功能
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
- IGBT 1200V 70A 350W PLUS2478 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA3SILICON1.2kV-55°C~150°C TJTubeHiPerFAST™2002活跃1 (Unlimited)3350WIXG*35N1203不合格SingleCOLLECTORStandard350WMOTOR CONTROLN-CHANNEL1.2kV70A60ns1200V86 ns4V @ 15V, 35A480 ns170nC140A50ns/150ns3mJ (off)ROHS3 Compliant------------
- IGBT 1200V 164A 1040W PLUS26424 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA264SILICON1.2kV-55°C~150°C TJTubeGenX3™, XPT™2013活跃1 (Unlimited)31.04kW-3-SingleCOLLECTORStandard1040W电源控制N-CHANNEL1.2kV164A420 ns1200V119 ns3.2V @ 15V, 82A295 ns215nC320A29ns/192ns4.95mJ (on), 2.78mJ (off)ROHS3 Compliant2.75VEAR99雪崩 额定R-PSIP-T31.04kW29 ns20V5V26.59mm20.29mm5.31mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT35GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | 对比 |
![]() | APT75GN120LG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
![]() | APT50GR120L | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 117A 694W TO264 | 对比 |





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