IXYS IXYB82N120C3H1

工厂交货时间

24 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

264

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.75V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 80A, 2 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

192 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

GenX3™, XPT™

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

1.04kW

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

功率耗散

1.04kW

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

29 ns

功率 - 最大

1040W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

164A

反向恢复时间

420 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

119 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.2V @ 15V, 82A

关断时间-标准值（toff)

295 ns

闸门收费

215nC

集极脉冲电流（Icm）

320A

Td（开/关）@25°C

29ns/192ns

开关能量

4.95mJ (on), 2.78mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

高度

26.59mm

长度

20.29mm

宽度

5.31mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅