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首页 全部分类 IXGK55N120A3H1 vs APT50GN120L2DQ2G

IXGK55N120A3H1备选型号: APT50GN120L2DQ2G

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGK55N120A3H1
    IXYS
    IGBT 1200V 125A 460W TO264
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
    460W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    Standard
    460W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.3V
    125A
    200 ns
    1200V
    70 ns
    2.3V @ 15V, 55A
    1253 ns
    PT
    185nC
    400A
    23ns/365ns
    5.1mJ (on), 13.3mJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT50GN120L2DQ2G
    Microsemi Corporation
    IGBT 1200V 134A 543W TO264
    29 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    1999
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    HIGH RELIABILITY
    543W
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    134A
    -
    1200V
    55 ns
    2.1V @ 15V, 50A
    600 ns
    NPT, Trench Field Stop
    315nC
    150A
    28ns/320ns
    4495μJ (off)
    -
    6.5V
    符合RoHS标准
    3
    10.6g
    1.7V
    EAR99
    1.2kV
    134A
    Single
    28 ns
    134A
    5.21mm
    26.49mm
    20.5mm
    无
    无铅
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