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IXGK72N60B3H1备选型号: APT100GN60LDQ4G
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 质量
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
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IGBT 600V 75A 540W TO2648 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON600V600V-55°C~150°C TJTubeGenX3™2009e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)低导通损耗540WSINGLE未说明未说明IXG*72N603R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE540WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL1.8V75A140 ns63 ns1.8V @ 15V, 60A370 nsPT225nC450A31ns/152ns1.4mJ (on), 1mJ (off)20V5V150nsROHS3 Compliant无铅-----------
IGBT 600V 229A 625W TO26425 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON600V1.5V-55°C~175°C TJTube-1999e1yes活跃1 (Unlimited)3-HIGH RELIABILITY625W----3R-PSFM-T3---COLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V229A-96 ns1.85V @ 15V, 100A435 ns沟渠现场停车600nC300A31ns/310ns4.75mJ (on), 2.675mJ (off)30V6.5V-符合RoHS标准无铅Tin10.6gEAR99600V100ASingle229A5.21mm26.49mm20.5mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IXGK320N60B3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 600V 500A 1700W TO264 | 对比 |
| APT75GN60LDQ3G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
| APT100GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 600V 229A 625W TO264 | 对比 |
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