IXGK75N250备选型号: APT65GP60L2DQ2G

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  • JESD-609代码
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  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 输入电容
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
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  • 集极脉冲电流(Icm)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 系列
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 无铅
  • IXYS
    IGBT 2500V 170A 780W TO264
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    2.5kV
    2.7V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    780W
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    780W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.5kV
    170A
    2500V
    9nF
    305 ns
    3.6V @ 15V, 150A
    420 ns
    NPT
    410nC
    530A
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX
    -
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    SILICON
    600V
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    833W
    3
    -
    Single
    -
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    198A
    -
    -
    85 ns
    2.7V @ 15V, 65A
    220 ns
    PT
    210nC
    250A
    -
    6V
    符合RoHS标准
    3
    POWER MOS 7®
    EAR99
    低导通损耗
    600V
    198A
    30ns/90ns
    605μJ (on), 895μJ (off)
    无铅
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