IXGK75N250备选型号: APT65GP60L2DQ2G
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 引脚数
- 系列
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 无铅
- IGBT 2500V 170A 780W TO26428 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON2.5kV2.7V-55°C~150°C TJTube2010e1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)780W3R-PSFM-T3Single780WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL2.5kV170A2500V9nF305 ns3.6V @ 15V, 150A420 nsNPT410nC530A20V5V无ROHS3 Compliant---------
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX-通孔通孔TO-264-3, TO-264AASILICON600V--55°C~150°C TJTube1999e1yes不用于新设计1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)833W3-Single-COLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V198A--85 ns2.7V @ 15V, 65A220 nsPT210nC250A-6V无符合RoHS标准3POWER MOS 7®EAR99低导通损耗600V198A30ns/90ns605μJ (on), 895μJ (off)无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT75GN120LG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3 Tab) TO-264 | 对比 |
![]() | APT65GP60L2DQ2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 3-Pin(3 Tab) TO-264 MAX | 对比 |
![]() | IXYK100N120C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 188A 1150W TO264 | 对比 |





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