IXGP20N120B3备选型号: SGP02N120XKSA1

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  • 工厂交货时间
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  • 晶体管元件材料
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  • 操作温度
  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
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  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • IXYS
    IGBT 1200V 36A 180W TO220
    26 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    2.299997g
    SILICON
    1.2kV
    2009
    GenX3™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    PURE TIN
    低导通损耗
    180W
    未说明
    unknown
    未说明
    IXG*20N120
    3
    不合格
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    180W
    电源控制
    N-CHANNEL
    3.1V
    36A
    TO-220AB
    1200V
    61 ns
    3.1V @ 15V, 16A
    720 ns
    PT
    51nC
    80A
    16ns/150ns
    920μJ (on), 560μJ (off)
    20V
    5V
    16mm
    10.66mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3
    16 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    -
    -
    -
    SILICON
    6.2A
    2007
    -
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    3
    不合格
    -
    COLLECTOR
    Standard
    62W
    电源控制
    N-CHANNEL
    -
    -
    TO-220AB
    1200V
    40 ns
    3.6V @ 15V, 2A
    375 ns
    NPT
    11nC
    9.6A
    23ns/260ns
    220μJ
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    NO
    EAR99
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE
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