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首页 全部分类 IXGP30N60C3D4 vs IRGB4062DPBF

IXGP30N60C3D4备选型号: IRGB4062DPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXGP30N60C3D4
    IXYS
    IGBT 600V 60A 220W TO220AB
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    2.299997g
    SILICON
    600V
    2.6V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2011
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    220W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    IXG*30N60
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    220W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    3V
    60A
    60 ns
    TO-220AB
    45 ns
    3V @ 15V, 20A
    160 ns
    PT
    38nC
    150A
    16ns/42ns
    270μJ (on), 90μJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGB4062DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 48A 250W TO220AB
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    6.000006g
    SILICON
    600V
    1.65V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2006
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    250W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    250W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.95V
    48A
    89 ns
    TO-220AB
    64 ns
    1.95V @ 15V, 24A
    164 ns
    Trench
    50nC
    72A
    41ns/104ns
    115μJ (on), 600μJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    EAR99
    Single
    53 ns
    22ns
    41ns
    9.02mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
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