STMicroelectronics STGP30H60DFB

工厂交货时间

20 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Test Conditions

400V, 30A, 10 Ω, 15V

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

260W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STGP30

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

260W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

53 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

51.1 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

223 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

149nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

37ns/146ns

开关能量

383μJ (on), 293μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant