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首页 全部分类 IXGR48N60B3D1 vs FGL60N100BNTD

IXGR48N60B3D1备选型号: FGL60N100BNTD

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  • 上升时间
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • IXYS
    IXGR48N60B3D1
    IXYS
    IGBT 600V 60A 150W ISOPLUS247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    600V
    1.77V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2009
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    UL 认证
    150W
    未说明
    unknown
    未说明
    IXG*48N60
    3
    不合格
    Single
    150W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    100 ns
    44 ns
    2.1V @ 15V, 40A
    347 ns
    PT
    115nC
    280A
    22ns/130ns
    840μJ (on), 660μJ (off)
    20V
    5.5V
    200ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGL60N100BNTD
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTDIGBT Single Transistor, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 Pins
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    3
    SILICON
    600V
    1.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2017
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    哑光锡
    -
    180W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    180W
    -
    Standard
    电源控制
    -
    1kV
    60A
    1.2 μs
    460 ns
    2.9V @ 15V, 60A
    760 ns
    NPT和沟槽
    275nC
    120A
    140ns/630ns
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
    6.756g
    EAR99
    8541.29.00.95
    1kV
    60A
    NPN
    320ns
    1000V
    1kV
    26mm
    20mm
    5mm
    无
    无SVHC
    无铅
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