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首页 全部分类 IXGR60N60C3D1 vs HGTG12N60A4D

IXGR60N60C3D1备选型号: HGTG12N60A4D

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 额定电流
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  • 上升时间
  • 连续集电极电流
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGR60N60C3D1
    IXYS
    IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    247
    SILICON
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™
    2010
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    170W
    未说明
    unknown
    未说明
    IXG*60N60
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    170W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.5V
    75A
    25 ns
    54 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    198 ns
    PT
    115nC
    260A
    21ns/70ns
    800μJ (on), 450μJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGTG12N60A4D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 54A 167W TO247
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2002
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    167W
    -
    -
    -
    HGTG12N60
    -
    -
    -
    Single
    167W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    54A
    30 ns
    33 ns
    2.7V @ 15V, 12A
    180 ns
    -
    78nC
    96A
    17ns/96ns
    55μJ (on), 50μJ (off)
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    6.39g
    EAR99
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    54A
    17 ns
    16ns
    60A
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    无铅
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