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IXGT20N100备选型号: IXA12IF1200TC
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- RoHS状态
- 引脚数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 40A 3-Pin(2 Tab) TO-2688 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA4.500005gSILICON1kV3V-55°C~150°C TJTube2000e3yes活跃1 (Unlimited)2PURE TIN150W鸥翼未说明unknown未说明IXG*20N1003R-PSSO-G2不合格SingleCOLLECTORStandard150W电源控制N-CHANNEL1kV40A1000V30 ns3V @ 15V, 20A700 nsPT73nC80A30ns/350ns3.5mJ (off)20V5V700nsROHS3 Compliant-----------
IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins-表面贴装-TO-268-3--1.2kV1.8V---e3yes--2PURE TIN-鸥翼未说明-未说明-3R-PSSO-G2不合格Single---电源控制N-CHANNEL2.1V20A-110 ns-350 ns-----20V6.5V-符合RoHS标准3EAR99150°C-55°C85W350 nsTO-268AA5.1mm16.05mm14mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IXA12IF1200TC | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins | 对比 |
| IXBT6N170 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 12A 3-Pin(2 Tab) TO-268 | 对比 |
 | APT25GR120S | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |
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