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IXGT24N170A备选型号: APT25GR120S
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- 零件状态
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- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 25A 3-Pin(2 Tab) TO-26824 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA4.500005gSILICON1.7kV4.5V-55°C~150°C TJTube2004e3yes活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)250W鸥翼未说明未说明IXG*24N1704R-PSSO-G2不合格SingleCOLLECTORStandard250W电源控制N-CHANNEL1.7kV24A1700V98 ns6V @ 15V, 16A275 nsNPT140nC75A21ns/336ns2.97mJ (on), 790μJ (off)20V5V80nsROHS3 Compliant无铅-
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK19 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA--1.2kV--55°C~150°C TJBulk2001--活跃1 (Unlimited)--521W---------Standard521W-N-CHANNEL3.2V75A1200V-3.2V @ 15V, 25A-NPT203nC100A16ns/122ns742μJ (on), 427μJ (off)30V6.5V-符合RoHS标准无铅EAR99- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IXGT10N170 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2 Tab) TO-268 | 对比 |
| IXGT6N170 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 6A 3-Pin(2 Tab) TO-268 | 对比 |
| APT25GR120S | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |
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