IXGT25N160备选型号: APT25GR120SD15
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- ECCN 代码
- 接通延迟时间
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 1.6KV 75A 3-Pin(2 Tab) TO-26818 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA4.500005gSILICON1.6kV2.5V-55°C~150°C TJTube2005e3yes活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)300W鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G2不合格SingleCOLLECTORStandard300WN-CHANNEL1.6kV75A1600V283 ns4.7V @ 20V, 100A526 nsNPT84nC200AROHS3 Compliant--------
- IGBT 1200V 75A 521W D3PAK30 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA--1.2kV--55°C~150°C TJTube2001--活跃1 (Unlimited)--521W---------Standard521WN-CHANNEL3.2V75A1200V-3.2V @ 15V, 25A-NPT203nC100A符合RoHS标准IN PRODUCTION (Last Updated: 2 days ago)EAR9916 ns16ns/122ns742μJ (on), 427μJ (off)30V6.5V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT25GR120SD15 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |
![]() | APT25GR120SSCD10 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |
![]() | APT25GR120S | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |




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