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IXGT32N90B2备选型号: APT25GR120S

IXGT32N90B2

IXYS

Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 3-Pin(2 Tab) TO-268

8 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
TO-268
4.500005g
900V
2.7V
-55°C~150°C TJ
Tube
HiPerFAST™
2006
活跃
1 (Unlimited)
150°C
-55°C
300W
IXG*32N90
Single
Standard
300W
900V
64A
900V
2.7V @ 15V, 32A
PT
89nC
200A
20ns/260ns
2.6mJ (off)
ROHS3 Compliant
-
-
-
-
-
APT25GR120S

Microsemi Corporation

IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

19 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
-
-
1.2kV
-
-55°C~150°C TJ
Bulk
-
2001
活跃
1 (Unlimited)
-
-
521W
-
-
Standard
521W
3.2V
75A
1200V
3.2V @ 15V, 25A
NPT
203nC
100A
16ns/122ns
742μJ (on), 427μJ (off)
符合RoHS标准
EAR99
N-CHANNEL
30V
6.5V
无铅
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