IXGT50N90B2D1备选型号: APT25GR120S
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 已出版
- 操作温度
- ECCN 代码
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 集极脉冲电流(Icm)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 3-Pin(2 Tab) TO-268表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA4.500005g900V2.7VTubeHiPerFAST™活跃1 (Unlimited)150°C-55°C400WIXG*50N90SingleStandard2.7V75A200 ns2.7V @ 15V, 50APT135nC20ns/350ns4.7mJ (off)ROHS3 Compliant-----------
- IGBT 1200V 75A 521W D3PAK表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA-1.2kV-Bulk-活跃1 (Unlimited)--521W--Standard3.2V75A-3.2V @ 15V, 25ANPT203nC16ns/122ns742μJ (on), 427μJ (off)符合RoHS标准19 Weeks2001-55°C~150°C TJEAR99521WN-CHANNEL1200V100A30V6.5V无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXYT30N65C3H1HV | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 650V 60A 270W TO268HV | 对比 |
![]() | IXGT25N160 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.6KV 75A 3-Pin(2 Tab) TO-268 | 对比 |
![]() | APT25GR120S | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |




哦! 它是空的。