IXGT50N90B2D1备选型号: IXYT80N90C3
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 集极脉冲电流(Icm)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 3-Pin(2 Tab) TO-268表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA4.500005g900V2.7VTubeHiPerFAST™活跃1 (Unlimited)150°C-55°C400WIXG*50N90SingleStandard2.7V75A200 ns2.7V @ 15V, 50APT135nC20ns/350ns4.7mJ (off)ROHS3 Compliant----------------------
- IGBT 900V 165A 830W TO268表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA-900V-TubeGenX3™, XPT™活跃1 (Unlimited)--830W--Standard2.7V165A-2.7V @ 15V, 80A-145nC34ns/90ns4.3mJ (on), 1.9mJ (off)ROHS3 Compliant24 WeeksSILICON-55°C~175°C TJ2013e32Matte Tin (Sn)SINGLE鸥翼unknownR-PSSO-G2SINGLECOLLECTOR830W电源控制N-CHANNEL134 ns201 ns360A20V5.5V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXYT30N65C3H1HV | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 650V 60A 270W TO268HV | 对比 |
![]() | IXGT25N160 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.6KV 75A 3-Pin(2 Tab) TO-268 | 对比 |
![]() | APT25GR120S | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |




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