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首页 全部分类 IXGX32N170H1 vs IRG7PH42UD-EP

IXGX32N170H1备选型号: IRG7PH42UD-EP

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  • IGBT类型
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  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 上升时间-最大值
  • JEDEC-95代码
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXGX32N170H1
    IXYS
    IGBT 1700V 75A 350W PLUS247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.7kV
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2003
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    350W
    未说明
    未说明
    IXG*32N170
    3
    不合格
    Single
    350W
    COLLECTOR
    Standard
    45 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.7kV
    75A
    150 ns
    1700V
    90 ns
    3.3V @ 15V, 32A
    920 ns
    NPT
    155nC
    200A
    45ns/270ns
    15mJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH42UD-EP
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 85A 320W TO247AD
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    320W
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    320W
    COLLECTOR
    Standard
    25 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    2V
    85A
    153 ns
    1200V
    51 ns
    2V @ 15V, 30A
    444 ns
    Trench
    157nC
    90A
    25ns/229ns
    2.11mJ (on), 1.18mJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    38.000013g
    EAR99
    41ns
    TO-247AD
    6V
    86ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无
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