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首页 全部分类 IXGX55N120A3H1 vs IRG8P60N120KD-EPBF

IXGX55N120A3H1备选型号: IRG8P60N120KD-EPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
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  • Reach合规守则
  • 元素配置
  • 无铅
  • IXYS
    IXGX55N120A3H1
    IXYS
    IXYS IXGX55N120A3H1 IGBT 1200V
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1.2kV
    Tube
    GenX3™
    2012
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS
    460W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    Standard
    460W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.3V
    125A
    200 ns
    1200V
    70 ns
    2.3V @ 15V, 55A
    1253 ns
    PT
    185nC
    400A
    23ns/365ns
    5.1mJ (on), 13.3mJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG8P60N120KD-EPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 100A 420W TO-247AD
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    1.2kV
    Tube
    -
    2014
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    420W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    -
    -
    -
    2V
    60A
    210 ns
    1200V
    -
    2V @ 15V, 40A
    -
    -
    345nC
    120A
    40ns/240ns
    2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
    -
    -
    符合RoHS标准
    6.500007g
    1.7V
    -40°C~150°C TJ
    EAR99
    unknown
    Single
    无铅
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