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首页 全部分类 IXGX82N120A3 vs IXYX100N120B3

IXGX82N120A3备选型号: IXYX100N120B3

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
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  • 已出版
  • ECCN 代码
  • Reach合规守则
  • 元素配置
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXGX82N120A3
    IXYS
    IGBT Transistors GenX3 1200V IGBTs
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1.2kV
    Tube
    GenX3™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    1.25kW
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE
    COLLECTOR
    Standard
    1250W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.05V
    260A
    1200V
    109 ns
    2.05V @ 15V, 82A
    1590 ns
    PT
    340nC
    580A
    34ns/265ns
    5.5mJ (on), 12.5mJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXYX100N120B3
    IXYS
    IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    1.2kV
    Tube
    GenX3™, XPT™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    1.15kW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    1150W
    -
    N-CHANNEL
    2.6V
    225A
    1200V
    -
    2.6V @ 15V, 100A
    -
    PT
    250nC
    530A
    30ns/153ns
    7.7mJ (on), 7.1mJ (off)
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    28 Weeks
    247
    -55°C~175°C TJ
    2013
    EAR99
    unknown
    Single
    21.34mm
    16.13mm
    5.21mm
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