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IXKC20N60C备选型号: IPP65R190CFDXKSA1
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 触点镀层
- 端子位置
- 配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS22075 WeeksISOPLUS220™通孔通孔3SILICON15A Tc2008CoolMOS™Tube-55°C~150°C TJe1yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定未说明未说明3不合格Single增强型MOSFET125WISOLATEDN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 16A, 10V3.9V @ 1mA2400pF @ 25V114nC @ 10V5ns±20V4.5 ns15A20V14A0.19Ohm600V690 mJROHS3 Compliant---------
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO22018 WeeksTO-220-3通孔通孔3SILICON17.5A Tc2008CoolMOS™Tube-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)3--未说明未说明3不合格-增强型MOSFET151W-N-ChannelSWITCHING190m Ω @ 7.3A, 10V4.5V @ 730μA1850pF @ 100V68nC @ 10V8.4ns±20V6.4 ns17.5A20V---484 mJROHS3 CompliantTinSINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE12 ns无卤素TO-220AB650V57.2A无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP21N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 17A TO-220 | 对比 |
 | STW21N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 17A TO-247 | 对比 |
 | STI21N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh | 对比 |
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