IXKC20N60C备选型号: STI21N65M5

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  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
    75 Weeks
    ISOPLUS220™
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    15A Tc
    2008
    CoolMOS™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 16A, 10V
    3.9V @ 1mA
    2400pF @ 25V
    114nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    4.5 ns
    15A
    20V
    14A
    0.19Ohm
    600V
    690 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh
    17 Weeks
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    17A Tc
    -
    MDmesh™ V
    Tube
    150°C TJ
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    179m Ω @ 8.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1950pF @ 100V
    50nC @ 10V
    10ns
    ±25V
    12 ns
    17A
    25V
    -
    0.19Ohm
    650V
    400 mJ
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    EAR99
    STI21N
    4V
    68A
    4 V
    10.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
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