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IXKH20N60C5备选型号: IPP60R165CPXKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD32 Weeks通孔通孔TO-3P-3 Full PackSILICON20A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008yes活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定未说明未说明3R-PSFM-T3不合格Single增强型MOSFET208WDRAINN-ChannelSWITCHING200m Ω @ 10A, 10V3.5V @ 1.1mA1520pF @ 100V45nC @ 10V5ns±20V5 ns20ATO-247AD20V0.2Ohm600V435 mJROHS3 Compliant------------
MOSFET N-CH 600V 21A TO-2208 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON21A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008yes不用于新设计1 (Unlimited)2-未说明未说明4R-PSSO-G2不合格-增强型MOSFET192WDRAINN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 12A, 10V3.5V @ 790μA2000pF @ 100V52nC @ 10V5ns±20V-21A-20V--522 mJROHS3 Compliant3e3Tin (Sn)600VSINGLE鸥翼21ASINGLE WITH BUILT-IN DIODE12 ns无卤素600V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 | 对比 |
 | FCPF22N60NT | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | N-Channel Power MOSFET, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 22 A, 165 mO, TO-220F | 对比 |
 | IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | 对比 |
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