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首页 全部分类 IXKH24N60C5 vs IPW60R125P6XKSA1

IXKH24N60C5备选型号: IPW60R125P6XKSA1

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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • IXYS
    IXKH24N60C5
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3 Full Pack
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    165MOhm
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    250W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    165m Ω @ 12A, 10V
    3.5V @ 790μA
    2000pF @ 100V
    52nC @ 10V
    ±20V
    24A
    TO-247AD
    20V
    600V
    522 mJ
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R125P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO247-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    未说明
    未说明
    -
    R-PSFM-T3
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    125m Ω @ 11.6A, 10V
    4.5V @ 960μA
    2660pF @ 100V
    56nC @ 10V
    ±20V
    30A
    -
    -
    -
    636 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    600V
    0.125Ohm
    87A
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