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首页 全部分类 IXKH30N60C5 vs IPP60R099CPXKSA1

IXKH30N60C5备选型号: IPP60R099CPXKSA1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • IXYS
    IXKH30N60C5
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3 Full Pack
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    125m Ω @ 16A, 10V
    3.5V @ 1.1mA
    2500pF @ 10V
    70nC @ 10V
    ±20V
    30A
    TO-247AD
    20V
    0.125Ohm
    600V
    708 mJ
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R099CPXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
    12 Weeks
    -
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    31A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2007
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    99m Ω @ 18A, 10V
    3.5V @ 1.2mA
    2800pF @ 100V
    80nC @ 10V
    ±20V
    -
    TO-220AB
    -
    0.099Ohm
    -
    800 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    NO
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    650V
    31A
    93A
    600V
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