Infineon Technologies IPW60R099P6XKSA1
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IPW60R099P6XKSA1
1211-IPW60R099P6XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
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MOSFET N-CH 600V TO247-3
1最小包装量--
IPW60R099P6XKSA1详情
Infineon Technologies IPW60R099P6XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
37.9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
278W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4.5V @ 1.21mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ P6
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
99m Ω @ 14.5A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3330pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
70nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
37.9A
最大双电源电压
600V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPW60R099P6XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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