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首页 全部分类 IXKP13N60C5M vs IPA60R280P6XKSA1

IXKP13N60C5M备选型号: IPA60R280P6XKSA1

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  • 资历状况
  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • IXYS
    IXKP13N60C5M
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
    SILICON
    6.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    PURE TIN
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    32W
    N-Channel
    SWITCHING
    300m Ω @ 6.6A, 10V
    3.5V @ 440μA
    1100pF @ 100V
    30nC @ 10V
    ±20V
    6.5A
    TO-220AB
    20V
    0.3Ohm
    600V
    290 mJ
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R280P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    13.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    32W
    N-Channel
    -
    280mOhm @ 5.2A, 10V
    4.5V @ 430μA
    1190pF @ 100V
    25.5nC @ 10V
    ±20V
    13.8A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    3
    PG-TO220-FP
    6.000006g
    150°C
    -55°C
    1
    12 ns
    无卤素
    6ns
    600V
    6 ns
    600V
    1.19nF
    252mOhm
    280 mΩ
    无铅
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