IXKP24N60C5备选型号: FQP3N60C

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
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  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • IXYS
    MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    165MOhm
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    250W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    165m Ω @ 12A, 10V
    3.5V @ 790μA
    2000pF @ 100V
    52nC @ 10V
    ±20V
    24A
    TO-220AB
    20V
    600V
    522 mJ
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    3.4Ohm
    260
    -
    未说明
    -
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    75W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.4 Ω @ 1.5A, 10V
    4V @ 250μA
    565pF @ 25V
    14nC @ 10V
    ±30V
    3A
    TO-220AB
    30V
    600V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1.8g
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    12 ns
    30ns
    35 ns
    3A
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