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IXKP35N60C5备选型号: IRFB812PBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 电阻
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB通孔通孔TO-220-3SILICON35A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008yes活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定未说明未说明3R-PSFM-T3不合格Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING100m Ω @ 18A, 10V3.9V @ 1.2mA2800pF @ 100V70nC @ 10V±20V35ATO-220AB20V0.1Ohm600V800 mJROHS3 Compliant---------------
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB通孔通孔TO-220-3SILICON3.6A Tc-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2008-不用于新设计1 (Unlimited)3------Single增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING2.2 Ω @ 2.2A, 10V5V @ 250μA810pF @ 25V20nC @ 10V±20V3.6ATO-220AB20V-500V-ROHS3 Compliant15 Weeks32.2Ohm78W14 ns22ns17 ns3V110 ns16.51mm10.67mm4.83mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQP3N60C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 3A TO-220 | 对比 |
| FQP5N60C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220 | 对比 |
| IRFB812PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB | 对比 |
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