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首页 全部分类 IXT-1-1N100S1 vs MMFT2N02ELT1

IXT-1-1N100S1备选型号: MMFT2N02ELT1

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  • 电压 - 额定直流
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • IXYS
    IXT-1-1N100S1
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
    30 Weeks
    表面贴装
    SOIC
    1.5A Tc
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    1000V
    1.5A
    ROHS3 Compliant
    -
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  • ON Semiconductor
    MMFT2N02ELT1
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
    -
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    1.6A Ta
    Digi-Reel®
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    N-Channel
    -
    1.6A
    Non-RoHS Compliant
    表面贴装
    8
    SILICON
    2004
    e0
    4
    EAR99
    逻辑电平兼容
    20V
    800mW
    DUAL
    鸥翼
    not_compliant
    2A
    4
    R-PDSO-G4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    150m Ω @ 800mA, 5V
    2V @ 1mA
    580pF @ 15V
    20nC @ 5V
    73ns
    0.15Ohm
    含铅
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