IXTA08N50D2备选型号: FQB2N50TM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK24 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON800mA Tc2009Tube-55°C~150°C TJyes活跃1 (Unlimited)2SINGLE鸥翼未说明unknown未说明3R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODEDRAINN-ChannelAMPLIFIER4.6 Ω @ 400mA, 0V312pF @ 25V12.7nC @ 5V500V±20V800mATO-263AA耗尽模式ROHS3 Compliant无铅----------------
- MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装-2.1A Tc2000Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ-Obsolete1 (Unlimited)-----------N-Channel-5.3Ohm @ 1.05A, 10V230pF @ 25V8nC @ 10V500V±30V2.1A--符合RoHS标准无铅D2PAK (TO-263AB)QFET®150°C-55°C500V2.1ASingle3.13W5V @ 250μA25ns20 ns30V500V230pF4.2Ohm5.3 Ω
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|




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