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IXTA08N50D2备选型号: FQB2N50TM
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK24 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON800mA Tc-55°C~150°C TJTube2009yes活跃1 (Unlimited)2SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODEDRAINN-ChannelAMPLIFIER4.6 Ω @ 400mA, 0V312pF @ 25V12.7nC @ 5V500V±20V800mATO-263AA耗尽模式unknownROHS3 Compliant无铅----------------
MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--3.13W Ta 55W Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2000-Obsolete1 (Unlimited)---------N-Channel-5.3Ohm @ 1.05A, 10V230pF @ 25V8nC @ 10V500V±30V2.1A---符合RoHS标准无铅D2PAK (TO-263AB)5V @ 250μAQFET®150°C-55°C500V2.1ASingle3.13W25ns20 ns30V500V230pF4.2Ohm5.3 Ω- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|
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