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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥25.057889
10
¥23.639516
100
¥22.301433
500
¥21.039091
1000
¥19.848198
IXTA08N50D2详情
IXYS IXTA08N50D2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
800mA Tc
Power Dissipation (Max)
60W Tc
Number of Elements
1
已出版
2009
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
AMPLIFIER
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.6 Ω @ 400mA, 0V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
312pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.7nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
800mA
JEDEC-95代码
TO-263AA
场效应管特性
耗尽模式
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IXTA08N50D2拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS









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