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IXTA100N04T2备选型号: FDB8445
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 40V 100A TO-26328 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON100A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchT2™2008e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET150WDRAINN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 25A, 10V4V @ 250μA2690pF @ 25V25.5nC @ 10V5.2ns±20V6.4 ns100A20V0.007Ohm40V300A300 mJROHS3 Compliant-----------------
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-鸥翼----R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET92WDRAINN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 70A, 10V4V @ 250μA3805pF @ 25V62nC @ 10V19ns±20V16 ns70A20V-40V--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)31.31247gSMD/SMT9MOhm40V70A10 ns2.5V40V2.5 V4.83mm10.97mm9.65mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| FDB8447L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK | 对比 |
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