我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IXTA12N65X2备选型号: IPB65R225C7ATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 650V 12A TO-26315 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant表面贴装表面贴装180W Tc-55°C~150°C TJTube2015活跃1 (Unlimited)EAR99未说明not_compliant未说明N-Channel300m Ω @ 6A, 10V5V @ 250μA1100pF @ 25V17nC @ 10V650V±30V12AROHS3 Compliant-------------------------
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R20 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装11A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008Discontinued1 (Unlimited)-未说明not_compliant未说明N-Channel225m Ω @ 4.8A, 10V4V @ 240μA996pF @ 400V20nC @ 10V-±20V11AROHS3 Compliant3.949996gSILICONCoolMOS™ C7e32Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G21Single增强型MOSFET63WDRAIN9 nsSWITCHING无卤素6ns10 nsTO-25220V650V0.225Ohm650V48 mJ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB65R280C6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| TK14G65W,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK | 对比 |
| TK14G65W5,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK | 对比 |
哦! 它是空的。