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IXTA12N65X2备选型号: TK14G65W5,RQ

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包装
已出版
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峰值回流焊温度（摄氏度）
Reach合规守则
时间@峰值回流温度-最大值(s)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
供应商器件包装
系列
输入电容
最大rds

IXTA12N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 12A TO-263

15 Weeks
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
表面贴装
表面贴装
180W Tc
-55°C~150°C TJ
Tube
2015
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
未说明
not_compliant
未说明
N-Channel
300m Ω @ 6A, 10V
5V @ 250μA
1100pF @ 25V
17nC @ 10V
650V
±30V
12A
ROHS3 Compliant
-
-
-
-
TK14G65W5,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK

12 Weeks
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面贴装
表面贴装
13.7A Ta
150°C TJ
Cut Tape (CT)
2014
Discontinued
1 (Unlimited)
-
-
-
-
N-Channel
300mOhm @ 6.9A, 10V
4.5V @ 690μA
1300pF @ 300V
40nC @ 10V
650V
±30V
13.7A
符合RoHS标准
D2PAK
DTMOSIV
1.3nF
300 mΩ
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