我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IXTA140P05T备选型号: AUIRF3205ZS
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET P-CH 50V 140A TO-26328 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON140A Tc-55°C~150°C TJTubeTrenchP™2009yes活跃1 (Unlimited)2EAR99雪崩 额定SINGLE鸥翼4R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET298WDRAINP-ChannelSWITCHING9m Ω @ 70A, 10V4V @ 250μA13500pF @ 25V200nC @ 10V50V±15V140A15V0.009Ohm420A50V无ROHS3 Compliant无铅----------------
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010-Discontinued1 (Unlimited)2EAR99AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE-鸥翼-R-PSSO-G2-增强型MOSFET170WDRAINN-ChannelSWITCHING6.5m Ω @ 66A, 10V4V @ 250μA3450pF @ 25V110nC @ 10V-±20V110A20V0.0065Ohm440A-无ROHS3 Compliant-Tine326030Single18 ns95ns67 ns2V75A55V250 mJ4.83mm10.67mm11.3mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL2505STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Single N-Channel 55 V 0.008 Ohm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK | 对比 |
| IRL1004SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK | 对比 |
| AUIRF3205ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
哦! 它是空的。