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IXTA160N04T2备选型号: FDB9409-F085
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- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 元素配置
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK28 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON160A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchT2™2008e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 50A, 10V4V @ 250μA4640pF @ 25V79nC @ 10V40V±20V160A0.005Ohm400A40V600 mJROHS3 Compliant无铅---
MOSFET 40V 80A N-Chnl Power Trench MOSFET23 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-80A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®-e3yesDiscontinued1 (Unlimited)--Tin (Sn)---260not_compliant未说明------N-Channel-3.5m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA2980pF @ 25V56nC @ 10V40V±20V80A----ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1.31247gSingle- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB9409-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 40V 80A N-Chnl Power Trench MOSFET | 对比 |
 | IRF1404SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK | 对比 |
| AUIRF1404ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK | 对比 |
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