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IXTA160N10T7备选型号: AUIRLS4030-7P
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CBSILICON160A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchMV™2006e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSFM-G6不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET430WDRAINN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 25A, 10V4.5V @ 1mA6600pF @ 25V132nC @ 10V61ns±30V42 ns160A0.007Ohm100V430A500 mJROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)SILICON190A Tc-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®2009e3-Discontinued1 (Unlimited)6EAR99-AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼260-30-R-PSSO-G6-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET370WDRAINN-ChannelSWITCHING3.9m Ω @ 110A, 10V2.5V @ 250μA11490pF @ 50V140nC @ 4.5V160ns±16V87 ns190A0.0039Ohm100V-320 mJROHS3 CompliantTin753 ns1V16V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRLS4030-7P | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P | 对比 |
| IRFS4010TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | 对比 |
 | STH240N10F7-6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | N-Channel 100 V 0.0025 Ohm Surface Mount STripFET? F7 Power Mosfet-H2PAK-6 | 对比 |
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