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IXTA180N10T7备选型号: IRLS4030TRL7PP
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 接通延迟时间
- 极性/通道类型
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CBSILICON180A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchMV™2006e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR996.4MOhmPURE TIN雪崩 额定SINGLE鸥翼未说明unknown未说明4R-PSFM-G6不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET480WDRAINN-ChannelSWITCHING6.4m Ω @ 25A, 10V4.5V @ 250μA6900pF @ 25V151nC @ 10V54ns±30V31 ns180A100V450A750 mJROHS3 Compliant无铅----------- MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CBSILICON190A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99-Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-SINGLE鸥翼260-30-R-PSSO-G6-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET370WDRAINN-ChannelSWITCHING3.9m Ω @ 110A, 10V2.5V @ 250μA11490pF @ 50V140nC @ 4.5V160ns±16V87 ns190A100V-320 mJROHS3 Compliant-12 Weeks753 nsP-CHANNEL2.5V16V0.0039Ohm1 V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STH185N10F3-6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 | 对比 |
| STH180N10F3-6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK | 对比 |
| IRFS4010TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | 对比 |
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