STMicroelectronics STH180N10F3-6
- 收藏
- 对比
STH180N10F3-6
2381-STH180N10F3-6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
--最小包装量--
STH180N10F3-6详情
STMicroelectronics STH180N10F3-6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
180A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
315W Tc
Turn Off Delay Time
99.9 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ III
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
4.5MOhm
基本部件号
STH180
元素配置
Single
功率耗散
315W
接通延迟时间
25.6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5m Ω @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6665pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
114.6nC @ 10V
上升时间
97.1ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6.9 ns
连续放电电流(ID)
180A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
高度
4.8mm
长度
15.25mm
宽度
10.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STH180N10F3-6拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics









哦! 它是空的。