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IXTA1N100备选型号: SPB02N60S5ATMA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- ECCN 代码
- 端子位置
- 配置
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-26328 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON1.5A Tc-55°C~150°C TJTube2004e3yes活跃1 (Unlimited)211OhmMatte Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET54WDRAINN-ChannelSWITCHING11 Ω @ 1A, 10V4.5V @ 25μA400pF @ 25V14.5nC @ 10V19ns1000V±30V18 ns1.5A30V1kV6A200 mJROHS3 Compliant无铅------
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin(2 Tab) TO-263-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON1.8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2005-noObsolete1 (Unlimited)2--雪崩 额定鸥翼未说明unknown未说明4R-PSSO-G2不合格-增强型MOSFET--N-ChannelSWITCHING3 Ω @ 1.1A, 10V5.5V @ 80μA240pF @ 25V9.5nC @ 10V-600V±20V-1.8A---50 mJ符合RoHS标准-CoolMOS™EAR99SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE3Ohm600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STH3N150-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant | MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 | 对比 |
| SPB02N60S5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| SPB02N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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