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IXTA27N20T备选型号: FDB6021P
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
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MOSFET N-CH 20V 27A TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB27A TcTube活跃1 (Unlimited)N-Channel20V27AROHS3 Compliant------------------------
MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB28A TaTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)P-Channel20V-28A符合RoHS标准3TO-263AB-65°C~175°C TJPowerTrench®2004175°C-65°C-20V-28ASingle37W30mOhm @ 14A, 4.5V1.5V @ 250μA1890pF @ 10V28nC @ 4.5V10ns±8V50 ns8V-20V1.89nF30mOhm30 mΩ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB6021P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB | 对比 |
 | IPB04N03LA | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | 对比 |
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