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IXTA2R4N120P备选型号: IPB072N15N3GATMA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- ECCN 代码
- 端子位置
- Reach合规守则
- 配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-26328 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON2.4A Tc-55°C~150°C TJTubePolar™2008e3yes活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼未说明未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET125WDRAINN-ChannelSWITCHING7.5 Ω @ 500mA, 10V4.5V @ 250μA1207pF @ 25V37nC @ 10V25ns1200V±20V32 ns2.4A20V1.2kV6A200 mJROHS3 Compliant无铅---------
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-26313 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008e3no活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)-鸥翼未说明未说明4R-PSSO-G2不合格-增强型MOSFET300WDRAINN-ChannelSWITCHING7.2m Ω @ 100A, 10V4V @ 270μA5470pF @ 75V93nC @ 10V35ns-±20V14 ns100A20V-400A780 mJROHS3 Compliant含铅3EAR99SINGLEnot_compliantSINGLE WITH BUILT-IN DIODE25 ns无卤素150V0.0072Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SPB18P06PGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263 | 对比 |
| IPB083N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IPB083N10N3GXT | 对比 |
 | FQB5N90TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK | 对比 |
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