Infineon Technologies SPB18P06PGATMA1

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

81.1W Ta

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-60V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-18.6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

81.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 13.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

860pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 10V

上升时间

5.8ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

-18.7A

阈值电压

-3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

74.8A

最大结点温度（Tj）

175°C

栅源电压

-3 V

高度

4.5mm

长度

10mm

宽度

4.4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅