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IXTA36P15P备选型号: IPB65R110CFDAATMA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子位置
- 配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET P-CH 150V 36A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK28 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON36A Tc-55°C~150°C TJTubePolarP™2009e3yes活跃1 (Unlimited)2PURE TIN雪崩 额定鸥翼4R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAINP-ChannelSWITCHING110m Ω @ 18A, 10V4.5V @ 250μA3100pF @ 25V55nC @ 10V31ns150V±20V15 ns36A20V-150V90A无ROHS3 Compliant无铅------
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-26318 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON31.2A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™2008e3no活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)HIGH RELIABILITY鸥翼4R-PSSO-G2-增强型MOSFET-DRAINN-ChannelSWITCHING110m Ω @ 12.7A, 10V4.5V @ 1.3mA3240pF @ 100V118nC @ 10V11ns-±20V6 ns31.2A20V-99.6A无ROHS3 Compliant含铅SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE16 ns无卤素650V845 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB34NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STB34NM60N Power MOSFET, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
| IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB108N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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