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IXTA3N120备选型号: IPB054N08N3GATMA1

IXTA3N120

IXYS

Trans MOSFET N-CH 1.1KV 3A 3-Pin(2 Tab) TO-263

28 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
TO-263 (IXTA)
3A Tc
-55°C~150°C TJ
Tube
2004
活跃
1 (Unlimited)
4.5Ohm
150°C
-55°C
1.2kV
3A
Single
150W
N-Channel
4.5Ohm @ 1.5A, 10V
5V @ 250μA
1350pF @ 25V
42nC @ 10V
15ns
1200V
±20V
18 ns
3A
20V
1.1kV
1.35nF
4.5Ohm
4.5 Ω
无
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
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-
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-
-
-
-
-
-
IPB054N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263

13 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
-
80A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
2008
活跃
1 (Unlimited)
-
-
-
-
-
-
150W
N-Channel
5.4m Ω @ 80A, 10V
3.5V @ 90μA
4750pF @ 40V
69nC @ 10V
66ns
-
±20V
10 ns
80A
20V
-
-
-
-
-
ROHS3 Compliant
含铅
SILICON
OptiMOS™
e3
no
2
EAR99
Tin (Sn)
SINGLE
鸥翼
未说明
not_compliant
未说明
4
R-PSSO-G2
不合格
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
DRAIN
18 ns
SWITCHING
无卤素
2.8V
80V
0.0054Ohm
无SVHC
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